Triode/MOS tube/transistor/module

Número de pieza
LRC (Leshan Radio)
Fabricantes
Descripción
60713 PCS
En stock
Número de pieza
onsemi (Ansemi)
Fabricantes
2SC3649 is a bipolar transistor, 160V, 1.5A, low VCE(sat), (PNP)NPN single PCP, for high voltage switching applications.
Descripción
72277 PCS
En stock
Número de pieza
ST (Xianke)
Fabricantes
N channel
Descripción
79770 PCS
En stock
Número de pieza
SPS (American source core)
Fabricantes
Descripción
50529 PCS
En stock
Número de pieza
VBsemi (Wei Bi)
Fabricantes
Descripción
95708 PCS
En stock
Número de pieza
ALLPOWER
Fabricantes
N-channel 85V 140A
Descripción
86449 PCS
En stock
Número de pieza
UMW (Friends Taiwan Semiconductor)
Fabricantes
Descripción
61371 PCS
En stock
Número de pieza
ST (STMicroelectronics)
Fabricantes
Descripción
73066 PCS
En stock
Número de pieza
ST (STMicroelectronics)
Fabricantes
Descripción
73646 PCS
En stock
Número de pieza
VBsemi (Wei Bi)
Fabricantes
Descripción
80218 PCS
En stock
Número de pieza
CJ (Jiangsu Changdian/Changjing)
Fabricantes
N-channel, 30V, 100mA
Descripción
77946 PCS
En stock
Número de pieza
CBI (Creation Foundation)
Fabricantes
Descripción
79441 PCS
En stock
Número de pieza
KODENSHI AUK (Photonics)
Fabricantes
Descripción
87783 PCS
En stock
Número de pieza
VBsemi (Wei Bi)
Fabricantes
Descripción
72884 PCS
En stock
Número de pieza
DIODES (US and Taiwan)
Fabricantes
Descripción
65876 PCS
En stock
Número de pieza
Infineon (Infineon)
Fabricantes
Descripción
61570 PCS
En stock
Número de pieza
REASUNOS (Ruisen Semiconductor)
Fabricantes
Descripción
83348 PCS
En stock
Número de pieza
AOS
Fabricantes
N-channel, 30V, 150A, 1.7mΩ@10V
Descripción
76613 PCS
En stock
Número de pieza
onsemi (Ansemi)
Fabricantes
SUPERFET III MOSFETs are ON Semiconductor's new family of high-voltage super-junction (SJ) MOSFETs utilizing charge-balancing technology to achieve exceptionally low on-resistance and superior performance in terms of lower gate charge. This advanced technology is designed to minimize conduction losses, provide excellent switching performance, and can withstand extreme dv/dt rates. Therefore, SUPERFET III MOSFETs are suitable for various power systems, enabling system miniaturization and higher energy efficiency. The optimized body diode reverse recovery performance of SUPERFET III FRFET MOSFETs can eliminate additional components and improve system reliability.
Descripción
78412 PCS
En stock
Número de pieza
VBsemi (Wei Bi)
Fabricantes
Descripción
64276 PCS
En stock