AGM-Semi (core control source)
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AGM3015H
N-channel 30V 230A 1.5mΩ
Número de pieza
AGM3015H
Categoría
Triode/MOS Tube/Transistor > Field Effect Transistor (MOSFET)
Fabricante/Marca
AGM-Semi (core control source)
Encapsulación
TO-263
Embalaje
taping
Número de paquetes
800
Descripción
Type: N-channel Drain-source voltage (Vdss): 30V Continuous Drain current (Id): 230A Power (Pd): 58W On-resistance (RDS(on)@Vgs,Id: 1.5mΩ@10V, 12A Threshold voltage ( Vgs(th)@Id): 1.7V@250uA Gate charge (Qg@Vgs) 115nC@10V Input capacitance (Ciss@Vds): 6.536nF@15V, Vds=300v Id=230A Rds=1.5mΩ, operating temperature: -55℃~+150℃@(Tj)
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