Comprar AGM-Semi (core control source) AGM303A N-channel 30V 110A 2.8mΩ general material

AGM-Semi (core control source)

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AGM303A

N-channel 30V 110A 2.8mΩ general material

Número de pieza

AGM303A

Categoría

Triode/MOS Tube/Transistor > Field Effect Transistor (MOSFET)

Fabricante/Marca

AGM-Semi (core control source)

Encapsulación

DFN(5x6)

Embalaje

taping

Número de paquetes

3000

Descripción

Type: N-Channel Drain-Source Voltage (Vdss): 30V Continuous Drain Current (Id): 110A Power (Pd): 70W On-Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 2.7mΩ@10V,20A Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 2.5V@250uA Gate charge (Qg@Vgs): 27nC@10V, operating temperature: -55℃~+150℃@(Tj) General materials (low voltage MOSFET power supply, energy storage power supply etc.), Vds=30V Id=110A Rds=2.8mΩ (3.6mΩ max)? DFN5x6encapsulation;

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