AGM-Semi (core control source)
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AGM30P05AP P-channel 30V 60A 5.5mΩ

AGM30P05AP

P-channel 30V 60A 5.5mΩ
Número de pieza
AGM30P05AP
Categoría
Triode/MOS Tube/Transistor > Field Effect Transistor (MOSFET)
Fabricante/Marca
AGM-Semi (core control source)
Encapsulación
PDFN3x3
Embalaje
taping
Número de paquetes
5000
Descripción
Field Effect Transistor (MOSFET) Type: P Channel Drain-Source Voltage (Vdss): 30V Continuous Drain Current (Id): 60A Power (Pd): 60W On-resistance (RDS(on)@Vgs,Id: 5.5mΩ@ 10V, 15A Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 1.6@250uA Gate Charge (Qg@Vgs) 32nC@10V Input Capacitance (Ciss@Vds): 2.497nF@30V , Vds=30v Id=60A Rds=5.5 mΩ, working temperature: -55℃~+150℃@(Tj)
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En stock 70043 PCS
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