Comprar AGM-Semi (core control source) AGM30P14MBP P-channel 30V 21A 15mΩ

AGM-Semi (core control source)

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AGM30P14MBP

P-channel 30V 21A 15mΩ

Número de pieza

AGM30P14MBP

Categoría

Triode/MOS Tube/Transistor > Field Effect Transistor (MOSFET)

Fabricante/Marca

AGM-Semi (core control source)

Encapsulación

PDFN3X3

Embalaje

taping

Número de paquetes

5000

Descripción

Field effect transistor (MOSFET) type: P-channel drain-source voltage (Vdss): 30V continuous drain current (Id): 21A power (Pd): 30W on-resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 15mΩ@ 10V, 8A Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 1.5V@250uA Gate Charge (Qg@Vgs): 14nC@10V Input Capacitance (Ciss@Vds): 1.35nF@15V , Vds=30V Id=21A Rds =15mΩ, working temperature: -55℃~+150℃@(Tj) DFN3*3;

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