AGM-Semi (core control source)
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AGM318D N-channel 30V 20A 18mΩ

AGM318D

N-channel 30V 20A 18mΩ
Número de pieza
AGM318D
Categoría
Triode/MOS Tube/Transistor > Field Effect Transistor (MOSFET)
Fabricante/Marca
AGM-Semi (core control source)
Encapsulación
TO-252
Embalaje
taping
Número de paquetes
2500
Descripción
Field Effect Transistor (MOSFET) Type: N-Channel Drain-Source Voltage (Vdss): 30V Continuous Drain Current (Id): 20A Power (Pd): 3.8W On-Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 18mΩ @10V,11A Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 1.6V@250uA Gate Charge (Qg@Vgs): 8.6nC@10V Input Capacitance (Ciss@Vds): 0.333nF@10V ,Vds=30V Id= 20A Rds=18mΩ, working temperature: -55℃~+150℃@(Tj);
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