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AGM-Semi (core control source)

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AGM318MBP

Número de pieza

AGM318MBP

Categoría

Triode/MOS Tube/Transistor > Field Effect Transistor (MOSFET)

Fabricante/Marca

AGM-Semi (core control source)

Encapsulación

PDFN3x3

Embalaje

taping

Número de paquetes

5000

Descripción

Type: Dual N-Channel Drain-Source Voltage (Vdss): 30V Continuous Drain Current (Id): 8A Power (Pd): 3.8W On-Resistance (RDS(on)@Vgs,Id: 16mΩ@10V, 6A Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 1.6A@250uA Gate charge (Qg@Vgs): 8.6nC@10V Input capacitance (Ciss@Vds): 0.333nF@10V, Vds=30v Id=8A Rds=17mΩ, work Temperature: -55℃~+150℃@(Tj) PDFN3*3encapsulation;

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