AGM-Semi (core control source)
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AGM3404E
N-channel 30V 5.6A 17mΩ
Número de pieza
AGM3404E
Categoría
Triode/MOS Tube/Transistor > Field Effect Transistor (MOSFET)
Fabricante/Marca
AGM-Semi (core control source)
Encapsulación
SOT-23-3
Embalaje
taping
Número de paquetes
3000
Descripción
Field Effect Transistor (MOSFET) Type: N-Channel Drain-Source Voltage (Vdss): 30V Continuous Drain Current (Id): 5.6A Power (Pd): 1.2W On-Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 17mΩ@10V, 5.6A Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 1.5V@250uA Gate Charge (Qg@Vgs): 12nC@10V Input Capacitance (Ciss@Vds): 0.526nF@15V , Vds=30V Id =5.6A Rds=17mΩ, working temperature: -55℃~+150℃@(Tj);
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