Comprar AGM-Semi (core control source) AGM3407E P-channel 30V 4.5A 41mΩ

AGM-Semi (core control source)

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AGM3407E

P-channel 30V 4.5A 41mΩ

Número de pieza

AGM3407E

Categoría

Triode/MOS Tube/Transistor > Field Effect Transistor (MOSFET)

Fabricante/Marca

AGM-Semi (core control source)

Encapsulación

SOT-23-3

Embalaje

taping

Número de paquetes

3000

Descripción

Field Effect Transistor (MOSFET) Type: P-Channel Drain-Source Voltage (Vdss): 30V Continuous Drain Current (Id): 4.5A Power (Pd): 1.2W On-Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 41mΩ@10V, 4.1A Threshold voltage (Vgs(th)@Id): 1.5V@250uA Gate charge (Qg@Vgs): 6.8nC@10V Input capacitance (Ciss@Vds): 0.53nF@15V , Vds=30V Id=4.5A Rds=41mΩ, working temperature: -55℃~+150℃@(Tj);

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