LGE (Lu Guang)
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LGE3D20065H
650V 20A 1.5V@20A Silicon carbideSilicon carbide (SiC)
Número de pieza
LGE3D20065H
Categoría
diode > Schottky diode
Fabricante/Marca
LGE (Lu Guang)
Encapsulación
TO-247-2
Embalaje
Tube
Número de paquetes
30
Descripción
Diode configuration: Independent DC reverse withstand voltage (Vr): 650V Average rectified current (Io): 20A Forward voltage drop (Vf): 1.5V@20Adiode configuration: Independent DC reverse withstand voltage (Vr): 650V average Rectified current (Io): 25A Forward voltage drop (Vf): 1.5V@20A \n Silicon carbide (SiC) Schottky diode uses new technology, which can provide excellent switching performance and has higher reliability than silicon. No reverse recovery current, temperature independent switching characteristics and excellent thermal performance of Silicon carbide
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