LGE (Lu Guang)
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LGE3D20120H
1.2kV 20A 1.45V@20A Silicon carbideSilicon carbide (SiC)
Número de pieza
LGE3D20120H
Categoría
diode > Schottky diode
Fabricante/Marca
LGE (Lu Guang)
Encapsulación
TO-247-2L
Embalaje
Tube
Número de paquetes
30
Descripción
Diode configuration: Independent DC reverse withstand voltage (Vr): 1.2kV Average rectified current (Io): 20A Forward voltage drop (Vf): 1.45V@20A \n Silicon carbide (SiC) Schottky diode uses a new technology that can Provides excellent switching performance with higher reliability than silicon. No reverse recovery current, temperature independent switching characteristics and excellent thermal performance of Silicon carbide
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