Triode/MOS tube/transistor/module
Número de pieza
LRC (Leshan Radio)
Fabricantes
NPN, Vceo=50V, Ic=100mA, hfe=80~150
Descripción
97780 PCS
En stock
Número de pieza
PJSEMI (flat crystal micro)
Fabricantes
Drain-source voltage (Vdss): 100V, continuous drain current (Id) (at 25°C): 0.17A, gate-source threshold voltage: 1~3V@250uA, drain-source on-resistance: 3.8Ω@Vgs=0.17 A, 4.5V, maximum power dissipation (Ta=25°C): 0.9W, type: N-channel
Descripción
50825 PCS
En stock
Número de pieza
APM (Jonway Microelectronics)
Fabricantes
Descripción
63355 PCS
En stock
Número de pieza
HXY MOSFET (Huaxuanyang Electronics)
Fabricantes
Descripción
77155 PCS
En stock
Número de pieza
onsemi (Ansemi)
Fabricantes
This bipolar power transistor is suitable for general purpose amplifier and switching applications. TIP31, TIP31A, TIP31B, TIP31C (NPN); and TIP32, TIP32A, TIP32B, TIP32C (PNP) are complementary devices
Descripción
54896 PCS
En stock
Número de pieza
AGM-Semi (core control source)
Fabricantes
Descripción
68163 PCS
En stock
Número de pieza
NCE (Wuxi New Clean Energy)
Fabricantes
P-channel, -30V, -4.1A, 60 milliohms.
Descripción
95958 PCS
En stock
Número de pieza
onsemi (Ansemi)
Fabricantes
This is an 8.0 V P-channel power MOSFET.
Descripción
62841 PCS
En stock