Triode/MOS tube/transistor/module
Número de pieza
WINSOK (Weishuo)
Fabricantes
Configuration Single Type P-Ch VDS(V) -60 VGS(V) 20 ID(A)Max. -90 VGS(th)(v) -1.85 RDS(ON)(m?)@4.240V 13 Qg(nC) @4.5V - QgS(nC) 12 Qgd(nC) 32 Ciss(pF) 4066 Coss(pF) 501 Crss(pF) 291
Descripción
81022 PCS
En stock
Número de pieza
HT (Golden Honor)
Fabricantes
Gear position: 100-200
Descripción
82306 PCS
En stock
Número de pieza
ST (STMicroelectronics)
Fabricantes
Descripción
58559 PCS
En stock
Número de pieza
HXY MOSFET (Huaxuanyang Electronics)
Fabricantes
Descripción
66612 PCS
En stock
Número de pieza
MOT (Renmao)
Fabricantes
Voltage VDSS30V, current ID100A
Descripción
65504 PCS
En stock
Número de pieza
Cmos (Guangdong Field Effect Semiconductor)
Fabricantes
MOS tube, DFN-8 5*6, N channel, withstand voltage: 80V, current: 100A
Descripción
58884 PCS
En stock
Número de pieza
ST (STMicroelectronics)
Fabricantes
Motor drive module IGBT 35A, 600V
Descripción
59188 PCS
En stock
Número de pieza
VBsemi (Wei Bi)
Fabricantes
P-channel, -60V, -30A, 61mΩ@-10V
Descripción
69146 PCS
En stock
Número de pieza
Crystal Conductor Microelectronics
Fabricantes
Descripción
78703 PCS
En stock
Número de pieza
CJ (Jiangsu Changdian/Changjing)
Fabricantes
Descripción
90345 PCS
En stock
Número de pieza
onsemi (Ansemi)
Fabricantes
This N-channel MOSFET is designed to increase the overall energy efficiency and minimize the switching node noise of DC/DC converters, and can be used with synchronous or conventional switching PWM controllers. It is optimized for low gate charge, low RDS(ON), fast switching and body diode reverse recovery.
Descripción
65811 PCS
En stock
Número de pieza
NCE (Wuxi New Clean Energy)
Fabricantes
P-channel, -100V, -18A, 100mΩ@-10V
Descripción
99466 PCS
En stock
