AGM-Semi (core control source)
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AGM603D
N-channel 60V 130A 2.8mΩ
Número de pieza
AGM603D
Categoría
Triode/MOS Tube/Transistor > Field Effect Transistor (MOSFET)
Fabricante/Marca
AGM-Semi (core control source)
Encapsulación
TO-252
Embalaje
taping
Número de paquetes
2500
Descripción
Type: N-Channel Drain-Source Voltage (Vdss): 60V Continuous Drain Current (Id): 130A Power (Pd): 140W On-Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 2.8mΩ@10V,10A Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 1.6V@250uA Gate charge (Qg@Vgs): 66nC@10V Input capacitance (Ciss@Vds): 5.377nF@25V, Vds=60V Id=130A Rds=2.8mΩ, working Temperature: -55℃~+150℃@(Tj)
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