AGM-Semi (core control source)
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AGM6080D
N-channel 60V 82A 6.8mΩ
Número de pieza
AGM6080D
Categoría
Triode/MOS Tube/Transistor > Field Effect Transistor (MOSFET)
Fabricante/Marca
AGM-Semi (core control source)
Encapsulación
TO-252
Embalaje
taping
Número de paquetes
2500
Descripción
Type: N-Channel Drain-Source Voltage (Vdss): 60V Continuous Drain Current (Id): 82A Power (Pd): 89W On-Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 6.8mΩ@10V,20A Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 3.0V@250uA Gate charge (Qg@Vgs): 72nC@10V Input capacitance (Ciss@Vds): 3nF@30V, Vds=60V Id=82A Rds=6.8mΩ, operating temperature : -55℃~+150℃@(Tj)
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