Comprar AGM-Semi (core control source) AGM609AP N-channel 60V 40A 6.5mΩ

AGM-Semi (core control source)

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AGM609AP

N-channel 60V 40A 6.5mΩ

Número de pieza

AGM609AP

Categoría

Triode/MOS Tube/Transistor > Field Effect Transistor (MOSFET)

Fabricante/Marca

AGM-Semi (core control source)

Encapsulación

DFN3x3

Embalaje

taping

Número de paquetes

5000

Descripción

Type: N-Channel Drain-Source Voltage (Vdss): 60V Continuous Drain Current (Id): 40A Power (Pd): 25W On-Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 6.5mΩ@10V,20A Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 1.7V@250uA Gate charge (Qg@Vgs): 16nC@10V Input capacitance (Ciss@Vds): 1.47nF@25V, Vds=60V Id=40A Rds=6.5mΩ, working Temperature: -55℃~+150℃@(Tj) DFN3*3encapsulation;

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