AGM-Semi (core control source)
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AGM60P20AP
P-channel 60V 10A 57mΩ
Número de pieza
AGM60P20AP
Categoría
Triode/MOS Tube/Transistor > Field Effect Transistor (MOSFET)
Fabricante/Marca
AGM-Semi (core control source)
Encapsulación
DFN3x3
Embalaje
taping
Número de paquetes
5000
Descripción
Type: P-Channel Drain-Source Voltage (Vdss): 60V Continuous Drain Current (Id): 10A Power (Pd): 3W On-Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 57mΩ@10V,5A Threshold Voltage ( Vgs(th)@Id): 1.8V@250uA Gate charge (Qg@Vgs): 8.5nC@10V Input capacitance (Ciss@Vds): 0.525nF@30V, Vds=60V Id=10A Rds=57mΩ, operating temperature : -55℃~+150℃@(Tj) DFN3*3encapsulation;
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