AGM-Semi (core control source)
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AGM60P35F
P-channel 60V 52A 18mΩ
Número de pieza
AGM60P35F
Categoría
Triode/MOS Tube/Transistor > Field Effect Transistor (MOSFET)
Fabricante/Marca
AGM-Semi (core control source)
Encapsulación
TO-220F
Embalaje
Tube
Número de paquetes
50
Descripción
Type: P-Channel Drain-Source Voltage (Vdss): 60V Continuous Drain Current (Id): 52A Power (Pd): 50W On-Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 18mΩ@10V,15A Threshold Voltage ( Vgs(th)@Id): 1.6V@250uA Gate charge (Qg@Vgs): 70nC@10V Input capacitance (Ciss@Vds): 4.55nF@30V, Vds=60V Id=52A Rds=18mΩ, operating temperature: -55℃~+150℃@(Tj)
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