AGM-Semi (core control source)
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AGM614D
N-channel 60V 53A 10mΩ
Número de pieza
AGM614D
Categoría
Triode/MOS Tube/Transistor > Field Effect Transistor (MOSFET)
Fabricante/Marca
AGM-Semi (core control source)
Encapsulación
TO-252
Embalaje
taping
Número de paquetes
2500
Descripción
Type: N-Channel Drain-Source Voltage (Vdss): 60V Continuous Drain Current (Id): 53A Power (Pd): 50W On-Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 10mΩ@10V,20A Threshold Voltage ( Vgs(th)@Id): 1.7V@250uA Gate charge (Qg@Vgs): 45.2nC@10V Input capacitance (Ciss@Vds): 1.7nF@30V, Vds=60V Id=53A Rds=10mΩ, operating temperature : -55℃~+150℃@(Tj)
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