AGM-Semi (core control source)
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AGM628M N+P channel 60V 6.8A/-5.7A 27mΩ/53mΩ

AGM628M

N+P channel 60V 6.8A/-5.7A 27mΩ/53mΩ
Número de pieza
AGM628M
Categoría
Triode/MOS Tube/Transistor > Field Effect Transistor (MOSFET)
Fabricante/Marca
AGM-Semi (core control source)
Encapsulación
SOP-8
Embalaje
taping
Número de paquetes
3000
Descripción
Type: one N-channel one P-channel Drain-source voltage (Vdss): 60V Continuous drain current (Id): 6.8A/-5.7A Power (Pd): 3.5W On-resistance (RDS(on)@Vgs, Id): 27mΩ@10V,6A; 53mΩ@-10V,-15A Threshold voltage (Vgs(th)@Id): 1.6V@250uA;-1.7V@250uA Gate charge (Qg@Vgs): 19nC@10V; 25nC@-10V Input capacitance (Ciss@Vds): 0.916nF@30V; 1.2nF@-30V Operating temperature: -55℃~+150℃@(Tj)
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