AGM-Semi (core control source)
La imagen puede ser una representación.
Consulte las especificaciones para obtener detalles del producto.
Consulte las especificaciones para obtener detalles del producto.
AGMH035N10A
AGMH035N10A
Número de pieza
AGMH035N10A
Categoría
Triode/MOS Tube/Transistor > Field Effect Transistor (MOSFET)
Fabricante/Marca
AGM-Semi (core control source)
Encapsulación
DFN5x6
Embalaje
taping
Número de paquetes
3000
Descripción
Type: N-Channel Drain-Source Voltage (Vdss): 100V Continuous Drain Current (Id): 112A Power: 104W On-Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 3.6mΩ@10V, 56A Threshold Voltage (Vgs( th)@Id): 3.0V@250uA Gate charge (Qg@Vgs): 67.2nC@10V Input capacitance (Ciss@Vds): 3.95nF@50V, Vds=100V Id=112A Rds=3.6mΩ, operating temperature: -55℃~+150℃@(Tj) DFN5*6;
Solicitud de cotización
Complete todos los campos obligatorios y haga clic en "ENVIAR", nos comunicaremos con usted en 12 horas por correo electrónico. Si tiene algún problema, deje mensajes o envíe un correo electrónico a [email protected], le responderemos lo antes posible.
En stock 67303 PCS
Información del contacto
Productos relacionados
Palabras clave deAGMH035N10A
AGMH035N10A Componentes electrónicos
AGMH035N10A Ventas
AGMH035N10A Proveedor
AGMH035N10A Distribuidor
AGMH035N10A Tabla de datos
AGMH035N10A Fotos
AGMH035N10A Precio
AGMH035N10A Oferta
AGMH035N10A El precio más bajo
AGMH035N10A Buscar
AGMH035N10A Adquisitivo
AGMH035N10A Chip