AGM-Semi (core control source)
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AGMH606C
AGMH606C
Número de pieza
AGMH606C
Categoría
Triode/MOS Tube/Transistor > Field Effect Transistor (MOSFET)
Fabricante/Marca
AGM-Semi (core control source)
Encapsulación
TO-220
Embalaje
Tube
Número de paquetes
50
Descripción
Type: N-Channel High Turn-On Drain-Source Voltage (Vdss): 68V Continuous Drain Current (Id): 80A Power (Pd): 147W On-Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 6.6mΩ@10V,30A Threshold voltage (Vgs(th)@Id): 3.0V@250uA Gate charge (Qg@Vgs): 35nC@10V Input capacitance (Ciss@Vds): 4nF@25V , Vds=68V Id=80A Rds=6.6mΩ, Working temperature: -55℃~+150℃@(Tj);
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