AGM-Semi (core control source)
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AGMH056N08C
AGMH056N08C
Número de pieza
AGMH056N08C
Categoría
Triode/MOS Tube/Transistor > Field Effect Transistor (MOSFET)
Fabricante/Marca
AGM-Semi (core control source)
Encapsulación
TO-220
Embalaje
Tube
Número de paquetes
50
Descripción
Type: N-Channel Drain-Source Voltage (Vdss): 85V Continuous Drain Current (Id): 142A Power (Pd): 240W On-Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 5.0mΩ@10V,40A Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 2.6V@250uA Gate charge (Qg@Vgs): 57nC@10V Input capacitance (Ciss@Vds): 3.895nF@40V, Vds=85V Id=142A Rds=5.0mΩ, working Temperature: -55℃~+150℃@(Tj);
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