onsemi (Ansemi)
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FDG6301N
Dual N-Channel Digital FET 25V, 0.22A, 4Ω
Número de pieza
FDG6301N
Categoría
Triode/MOS Tube/Transistor > Field Effect Transistor (MOSFET)
Fabricante/Marca
onsemi (Ansemi)
Encapsulación
SC-70-6
Embalaje
taping
Número de paquetes
3000
Descripción
These dual N-channel logic level enhancement mode field effect transistors are produced using a proprietary high cell density DMOS technology. This very high-density process is ideal for minimizing on-resistance. This device is designed to replace bipolar digital transistors and small signal MOSFETs in low voltage applications.
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En stock 95474 PCS
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Palabras clave deFDG6301N
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