onsemi (Ansemi)
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FDG6321C
Dual N and P Channel Digital FET 25V
Número de pieza
FDG6321C
Categoría
Triode/MOS Tube/Transistor > Field Effect Transistor (MOSFET)
Fabricante/Marca
onsemi (Ansemi)
Encapsulación
SOT-363-6(SC-70-6)
Embalaje
taping
Número de paquetes
3000
Descripción
These dual N and P channel logic level enhancement mode field effect transistors are produced using a high cell density DMOS proprietary technology. This very high-density process is ideal for minimizing on-resistance. This device is designed to replace bipolar digital transistors and small signal MOSFETs in low voltage applications. Because no bias resistor is required, these dual digital FETs can replace several digital transistors with various bias resistor values.
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Palabras clave deFDG6321C
FDG6321C Componentes electrónicos
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