onsemi (Ansemi)
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FDG6304P
Dual P-Channel, Digital FET, -25V, 0.41A, 1.1Ω
Número de pieza
FDG6304P
Categoría
Triode/MOS Tube/Transistor > Field Effect Transistor (MOSFET)
Fabricante/Marca
onsemi (Ansemi)
Encapsulación
SOT-363
Embalaje
taping
Número de paquetes
3000
Descripción
These dual P-channel logic level enhancement mode field effect transistors are produced using a high cell density DMOS proprietary process. This very high-density process is ideal for minimizing on-resistance. This device is designed to replace bipolar digital transistors and small signal MOSFETs in low voltage applications.
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En stock 59757 PCS
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Palabras clave deFDG6304P
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