onsemi (Ansemi)
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FDG6332C
20V N&P Channel Power Trench MOSFETs
Número de pieza
FDG6332C
Categoría
Triode/MOS Tube/Transistor > Field Effect Transistor (MOSFET)
Fabricante/Marca
onsemi (Ansemi)
Encapsulación
SOT-363-6(SC-70-6)
Embalaje
taping
Número de paquetes
3000
Descripción
These N- and P-channel MOSFETs are produced using Fairchild Semiconductor's advanced PowerTrench process, which is specially tailored to minimize on-state resistance while maintaining excellent switching performance. These devices are specifically designed to provide extremely low power consumption in an extremely small size, making them ideal for applications where the larger and more expensive TSSOP-8 and SSOP-6 encapsulation is not suitable.
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Palabras clave deFDG6332C
FDG6332C Componentes electrónicos
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