AGM-Semi (core control source)
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AGM01P15D
AGM01P15D
Número de pieza
AGM01P15D
Categoría
Triode/MOS Tube/Transistor > Field Effect Transistor (MOSFET)
Fabricante/Marca
AGM-Semi (core control source)
Encapsulación
TO-252
Embalaje
taping
Número de paquetes
2500
Descripción
Type: P-Channel Drain-Source Voltage (Vdss): 100V Continuous Drain Current (Id): 13A Power (Pd): 33W On-Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 315mΩ@10V,6A Threshold Voltage ( Vgs(th)@Id): 1.9V@250uA Gate charge (Qg@Vgs): 33nC@10V Input capacitance (Ciss@Vds): 1.734nF@50V, Vds=100V Id=13A Rds=315mΩ, operating temperature: -55℃~+150℃@(Tj)
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