AGM-Semi (core control source)
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AGM056N10C
AGM056N10C
Número de pieza
AGM056N10C
Categoría
Triode/MOS Tube/Transistor > Field Effect Transistor (MOSFET)
Fabricante/Marca
AGM-Semi (core control source)
Encapsulación
TO-220
Embalaje
Tube
Número de paquetes
50
Descripción
Type: N-Channel Drain-Source Voltage (Vdss): 100V Continuous Drain Current (Id): 140A Power (Pd): 227W On-Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 5.4mΩ@10V,20A Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 2.8V@250uA Gate charge (Qg@Vgs): 56nC@10V Input capacitance (Ciss@Vds): 3.65nF@50V, Vds=100V Id=140A Rds=5.4mΩ, working Temperature: -55℃~+150℃@(Tj)
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