AGM-Semi (core control source)
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AGM025N08H
AGM025N08H
Número de pieza
AGM025N08H
Categoría
Triode/MOS Tube/Transistor > Field Effect Transistor (MOSFET)
Fabricante/Marca
AGM-Semi (core control source)
Encapsulación
TO-263
Embalaje
taping
Número de paquetes
800
Descripción
Type: N-channel Drain-source voltage (Vdss): 85V Continuous drain current (Id): 180A Power (Pd): 250W On-resistance (RDS(on)@Vgs,Id: 2.3mΩ@10V, 50A Threshold voltage ( Vgs(th)@Id): 3@250uA Gate charge (Qg@Vgs) 138.3nC@10V Input capacitance (Ciss@Vds): [email protected], Vds=85v Id=180A Rds=2.3mΩ, operating temperature : -55℃~+150℃@(Tj)
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