AGM-Semi (core control source)
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AGM028N08A N-channel 85V 170A 2.8mΩ

AGM028N08A

N-channel 85V 170A 2.8mΩ
Número de pieza
AGM028N08A
Categoría
Triode/MOS Tube/Transistor > Field Effect Transistor (MOSFET)
Fabricante/Marca
AGM-Semi (core control source)
Encapsulación
PDFN5x6
Embalaje
taping
Número de paquetes
3000
Descripción
Type: N-Channel Drain-Source Voltage (Vdss): 85V Continuous Drain Current (Id): 170A Power (Pd): 167W On-Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 2.8mΩ@10V,15A Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 3.0V@250uA Gate Charge (Qg@Vgs): 59.5nC@10V Input Capacitance (Ciss@Vds): 3.1nF@50V , Vds=85V Id=170A Rds=2.8mΩ, Working temperature: -55℃~+150℃@(Tj) DFN5*6encapsulation;
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