AGM-Semi (core control source)
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AGM065N10D
AGM065N10D
Número de pieza
AGM065N10D
Categoría
Triode/MOS Tube/Transistor > Field Effect Transistor (MOSFET)
Fabricante/Marca
AGM-Semi (core control source)
Encapsulación
TO-252
Embalaje
taping
Número de paquetes
2500
Descripción
Type: N-Channel Drain-Source Voltage (Vdss): 100V Continuous Drain Current (Id): 95A Power (Pd): 112W On-Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 5.8mΩ@10V,15A Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 1.6V@250uA Gate charge (Qg@Vgs): 39.5nC@10V Input capacitance (Ciss@Vds): 1.99nF@50V , Vds=100V Id=95A Rds=5.8mΩ, Working temperature: -55℃~+150℃@(Tj)
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